Значения слова Эпитаксия. Что такое Эпитаксия?

Слово состоит из 9 букв: первая э, вторая п, третья и, четвёртая т, пятая а, шестая к, седьмая с, восьмая и, последняя я,

Слово эпитаксия английскими буквами (транслитом) - epitaksiya

Жидкофазная эпитаксия

Эпитаксия из жидкой фазы в основном применяется для получения многослойных полупроводниковых соединений, таких как GaAs, CdSnP2; также является основным способом получения монокристаллического кремния (Метод Чохральского).
ru.wikipedia.org

Эпитаксия жидкофазная Термин эпитаксия жидкофазная Термин на английском liquid-phase epitaxy Синонимы Аббревиатуры LPE Связанные термины гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, нановискер, эпитаксия молекулярно-лучевая…
Энциклопедический словарь нанотехнологий. - 2010

Правильное написание и ударение в слове ЭПИТАКСИЯ

Эпита́кси́я, -и.
Орфографический словарь. — 2004

Химическое осаждение из газовой фазы

Эпитаксия газофазная Термин эпитаксия газофазная Термин на английском metalorganic vapour phase epitaxy Синонимы Аббревиатуры MOVPE Связанные термины гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, нановискер…
Энциклопедический словарь нанотехнологий. - 2010

Газофа́зная эпитаксия — получение эпитаксиальных слоев полупроводников путём осаждения из паро-газовой фазы. Наиболее часто применяется в технологии кремниевых, германиевых и арсенид-галлиевых полупроводниковых приборов и интегральных схем,.
ru.wikipedia.org

Химическое осаждение из газовой фазы Термин химическое осаждение из газовой фазы Термин на английском chemical vapour deposition Синонимы химическое осаждение из пара…...осаждение из паров металлорганических соединений, эпитаксия газофазная Определение метод получения тонких пленок и порошков при помощи высокотемпературных реакций разложения и/
Энциклопедический словарь нанотехнологий. - 2010

Эпитаксия

ЭПИТАКСИЯ (от эпи и греч. taxis - расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на пов-сти другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в-ва подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию)…
Химическая энциклопедия

Эпитаксия Термин эпитаксия Термин на английском epitaxy Синонимы Аббревиатуры Связанные термины гетероструктура полупроводниковая, гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, подложка, эпитаксия твердофазная, эпитаксия газофазная, эпитаксия жидкофазная…
Энциклопедический словарь нанотехнологий. - 2010

Эпитаксия — это закономерное нарастание одного кристаллического материала на другом (от греч. επι — на и ταξισ — упорядоченность), т. е. ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки).
ru.wikipedia.org

Эпитаксия молекулярно-лучевая, метод

Эпитаксия молекулярно-лучевая, метод Термин эпитаксия молекулярно-лучевая, метод Термин на английском molecular beam epitaxy Синонимы Аббревиатуры МЛЭ, МПЭ, MBE Связанные термины гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, квантовая яма, нановискер…
Энциклопедический словарь нанотехнологий. - 2010

Эпитаксия твердофазная

Эпитаксия твердофазная Термин эпитаксия твердофазная Термин на английском solid phase epitaxy Синонимы Аббревиатуры ТФЭ, SPE Связанные термины гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, эпитаксия молекулярно-лучевая…
Энциклопедический словарь нанотехнологий. - 2010

Кремний

КРЕМНИЙ (Silicium) Si, химический элемент IV гр. периодич. системы, ат. н. 14, ат. м. 28,0855. Состоит из трех стабильных изотопов 28Si (92,27%), 29Si (4,68%) и 30Si (3,05%).Жидкофазную эпитаксию из р-ра кремния в металлич. расплаве (наиб. часто Sn) проводят при 1100-1200°С. Пленки гидрогенизир. кремния, или a-Si:H, получают плазмохим. разложением SiH4...
Химическая энциклопедия

КРЕМНИЙ (Silicium) Si, химический элемент IV гр. периодич. системы, ат. н. 14, ат. м. 28,0855. Состоит из трех стабильных изотопов 28Si (92,27%), 29Si (4,68%) и 30Si (3,05%).Жидкофазную эпитаксию из р-ра К. в металлич. расплаве (наиб. часто Sn) проводят при 1100-1200°С. Пленки гидрогенизир. К., или a-Si:H, получают плазмохим. разложением SiH4, реактивным...
Химическая энциклопедия. - 1988

Кристаллизация

Кристаллизация, образование кристаллов из паров, растворов, расплавов, вещества в твёрдом состоянии (аморфном или другом кристаллическом), в процессе электролиза и при химических реакциях.Явление ориентированного нарастания называется эпитаксией Эпитаксия из газовой фазы происходит, если температура подложки выше некоторой критической (если температура ниже, то кристаллики...
Большая советская энциклопедия (БСЭ). — 1969—1978

КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ - образование кристаллов из газа, раствора, расплава, стекла или кристалла др. структуры (полиморфные превращения). К. состоит в укладке атомов, молекул или ионов в кристаллическую решётку....зародыша на хорошо смачиваемой поверхности кристалла требует преодоления меньшего барьера, и потому такое гетерогенное зарождение происходит при меньших переохлаждениях (см. Эпитаксия)..
Физическая энциклопедия. - 1988

Молекулярно-пучковая эпитаксия

Молекулярно-пучковая эпитаксия (МПЭ) или молекулярно-лучевая эпитаксия (МЛЭ) — эпитаксиальный рост в условиях сверхвысокого вакуума.
ru.wikipedia.org

Полупроводниковые материалы

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, в-ва с четко выраженными св-вами полупроводников в широком интервале т-р, включая комнатную (~ 300 К), являющиеся основой для создания полупроводниковых приборов.Перспективен метод молекулярно-пучковой эпитаксии. Процесс осуществляют в условиях глубокого вакуума (10 10-10-12 мм рт.ст.) при использовании мол. пучков соответствующих элементов.
Химическая энциклопедия

Полупроводниковые материалы — вещества с чётко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале температур, включая комнатную (~ 300 К), являющиеся основой для создания полупроводниковых приборов.Для получения эпитаксиальных структур полупроводниковых материалов используют методы жидкостной, газофазной и молекулярно-пучковой эпитаксии.
ru.wikipedia.org

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ совокупность веществ с чётко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале темп-р, включающем комнатную темп-ру Т=300 К, применяющихся для изготовления полупроводниковых приборов....методами Чохральского и бестигельной зонной плавки, а также эпитаксиальным выращиванием тонких крист. слоев (от долей до сотен мкм) при кристаллизации из газовой фазы (см. ЭПИТАКСИЯ).
Физическая энциклопедия. - 1988

Электроника

Электроника, наука о взаимодействии электронов с электромагнитными полями и о методах создания электронных приборов и устройств, в которых это взаимодействие используется для преобразования электромагнитной энергии, в основном для передачи…...выращивания (см. Эпитаксия), диффузии, ионного внедрения (имплантации), воздействием радиации на полупроводниковые структуры; 3) нанесение диэлектрических и металлических плёнок на...
Большая советская энциклопедия (БСЭ). — 1969—1978

Буква э встречается 1 раз. Слова с 1 буквой э
Буква п встречается 1 раз. Слова с 1 буквой п
Буква и встречается 2 раза. Слова с 2 буквами и
Буква т встречается 1 раз. Слова с 1 буквой т
Буква а встречается 1 раз. Слова с 1 буквой а
Буква к встречается 1 раз. Слова с 1 буквой к
Буква с встречается 1 раз. Слова с 1 буквой с
Буква я встречается 1 раз. Слова с 1 буквой я

Похожие запросы: