Значения слова Эпитаксиальный. Что такое Эпитаксиальный?

Слово состоит из 14 букв: первая э, вторая п, третья и, четвёртая т, пятая а, шестая к, седьмая с, восьмая и, девятая а, десятая л, одиннадцатая ь, двенадцатая н, тринадцатая ы, последняя й,

Слово эпитаксиальный английскими буквами (транслитом) - epitaksialnyi

Правильное написание и ударение в слове ЭПИТАКСИАЛЬНЫЙ

Эпитаксиа́льный.
Орфографический словарь. — 2004

Алмаз

Алмаз (тюрк. алмас, от греч. adamas - несокрушимый, непобедимый * a. diamond; н. Diamant; ф. diamant; и. diamante) - минерал, кристаллич. кубич. модификация самородного углерода....переход графита в A. при воздействии ударной волны; эпитаксиальный - наращивание алмазных плёнок на алмазные затравки из газообразных углеводородов при низких давлениях и темп-pe ок.
Геологический словарь. - 1978

Алмаз. (тюрк. алмас, от греч. adamas - несокрушимый). Аллотропная модификация углерода, кристаллическая решетка которой относится к кубической сингонии (см. ниже)....сотен ГПа до нескольких Па и температурах 600-800 синтез ведут из газовой фазы (метан, пропан, двуокись углерода и т. п.), как правило на затравку (эпитаксиальное наращивание).
Астрономический глоссарий "Астронет"

Волоконно-оптический кабель

СВЕТОВОД (светопровод, волновод оптический), закрытое устройство для направленной передачи (канализации) света. В открытом пр-ве его передача возможна только в пределах прямой видимости и связана с потерями…С. изготавливают методом катодного распыления стекла или др. материала (ZnS, CdS, ZnSe) на кварцевой подложке, методом эпитаксиального наращивания из жидкой или газообразной фазы, методом...
Физическая энциклопедия. - 1988

СВЕТОВОД (волновод оптический) - закрытое устройство для направленнойпередачи света. В открытом пространстве передача света возможна тольков пределах прямой видимости и ограничивается нач. расходимостью излучения…С. этого типаизготавливают методом катодного распыления материала волновода на подложку, <методом эпитаксиального="эпитаксиального" наращивания="наращивания" из="из" жидкой="жидкой" или...
Физическая энциклопедия. - 1988

Кремний

КРЕМНИЙ (Silicium) Si, химический элемент IV гр. периодич. системы, ат. н. 14, ат. м. 28,0855. Состоит из трех стабильных изотопов 28Si (92,27%), 29Si (4,68%) и 30Si (3,05%).Осн. пром. метод получения эпитаксиальных слоев и структур кремния-хим. осаждение из газовой фазы с использованием смеси особо чистых SiCl4 и Н2.
Химическая энциклопедия

КРЕМНИЙ (Silicium) Si, химический элемент IV гр. периодич. системы, ат. н. 14, ат. м. 28,0855. Состоит из трех стабильных изотопов 28Si (92,27%), 29Si (4,68%) и 30Si (3,05%).Осн. пром. метод получения эпитаксиальных слоев и структур К.-хим. осаждение из газовой фазы с использованием смеси особо чистых SiCl4 и Н 2. Процесс проводят в проточных металлич. и...
Химическая энциклопедия. - 1988

Микроэлектроника

Микроэлектроника, область электроники, занимающаяся созданием электронных функциональных узлов, блоков и устройств в микроминиатюрном интегральном исполнении.В их производстве наиболее распространена планарно-эпитаксиальная технология, заимствованная из производства дискретных ПП приборов (см. Полупроводниковая электроника) и отличающаяся от...
Большая советская энциклопедия (БСЭ). — 1969—1978

МИКРОЭЛЕКТРОНИКА — область электроники, охватывающая проблемы создания электронных устройств в микроминиатюрном интегральном исполнении. В М. используются различные св-ва тв. тела, особенно полупроводников, для создания функциональных блоков и узлов…Наряду с интегральной М. существует вакуумная М. и функциональная М. В интегральной М. используется планарно-эпитаксиальная технология (см. ЭПИТАКСИЯ), фотолитография, ионное внедрение...
Физическая энциклопедия. - 1988

Полупроводниковый диод

Полупроводниковый диод - двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП) кристалла. Полупроводниковые диоды изготовляют из германия, кремния, селена и других веществ....режимах работы, производство которого основано на современных производительных и контролируемых методах формирования p-n-переходов (планарной технологии, эпитаксиального наращивания).
Энциклопедический фонд России

Полупроводниковый диод, двухэлектродный электронный прибор на основе полупроводникового (ПП) кристалла. Понятие "П. д." объединяет различные приборы с разными принципами действия, имеющие разнообразное назначение.Большинство П. д. изготавливают, используя планарно-эпитаксиальную технологию (см. Планарная технология), которая позволяет одновременно получать до нескольких тысяч П. д. В качестве...
Большая советская энциклопедия (БСЭ). — 1969—1978

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ДИОД — двухэлектродный полупроводниковый прибор (на основе кремния, арсенида галлия, германия и др.), действие к-рого обусловлено св-вами р - п-перехода (наиболее обширный класс П. д.)…...и вплавления примесей, ионной имплантации, эпитаксиального наращивания, вакуумного напыления и др., и точечные П. д., получаемые прижатием к ПП кристаллу пружинящей металлич. иглы.
Большой энциклопедический политехнический словарь

Транзистор

ТРАНЗИСТОР, полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем…Этот недостаток отсутствует при использовании эпитаксиального материала – тонкого...
Энциклопедия Кругосвет

ТРАНЗИСТОР полупроводниковый прибор, предназначенный для усиления электрического тока и управления им. Транзисторы выпускаются в виде дискретных компонентов в индивидуальных корпусах или в виде активных элементов т.н. интегральных схем…Этот недостаток отсутствует при использовании эпитаксиального материала - тонкого...
Энциклопедия Кольера

Транзистор (от англ. transfer — переносить и resistor — сопротивление), электронный прибор на основе полупроводникового кристалла, имеющий три (или более) вывода, предназначенный для генерирования и преобразования электрических колебаний.Наибольшее распространение получили планарные и планарно-эпитаксиальные кремниевые Т. С изобретением Т. наступил период миниатюризации радиоэлектронной аппаратуры на базе достижений...
Большая советская энциклопедия (БСЭ). — 1969—1978

Фотографическая эмульсия

ФОТОГРАФИЧЕСКИЕ ЭМУЛЬСИИ , традиц. название суспензий светочувствит. микрокристаллов (зерен) галогени-дов Ag в связующих - водных р-рах желатина, эфирах целлюлозы, агаре, альбумине и др.с ядром из AgBrxI1-x, плоские кристаллы с таким же ядром и латеральными оболочками разл. состава), а также эпитаксиальные микрокристаллы [напр., эпитаксиальные кристаллы AgBr (AgCl) на...
Химическая энциклопедия. - 1988

ФОТОГРАФИЧЕСКИЕ ЭМУЛЬСИИ, традиц. название суспензий светочувствит. микрокристаллов (зерен) галогени-дов Ag в связующих - водных р-рах желатина, эфирах целлюлозы, агаре, альбумине и др....структуры с ядром из AgBrxI1-x, плоские кристаллы с таким же ядром и латеральными оболочками разл. состава), а также эпитаксиальные микрокристаллы [напр., эпитаксиальные кристаллы.
Химическая энциклопедия

Химическое осаждение из газовой фазы

Газофа́зная эпитаксия — получение эпитаксиальных слоев полупроводников путём осаждения из паро-газовой фазы. Наиболее часто применяется в технологии кремниевых, германиевых и арсенид-галлиевых полупроводниковых приборов и интегральных схем,.
ru.wikipedia.org

Эпитаксия газофазная Термин эпитаксия газофазная Термин на английском metalorganic vapour phase epitaxy Синонимы Аббревиатуры MOVPE Связанные термины гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, нановискер…Описание Газофазное эпитаксиальное наращивание на подложке монокристаллических слоев полупроводниковых веществ осуществляется из металлоорганических соединений в реакторе при пониженном...
Энциклопедический словарь нанотехнологий. - 2010

Химическое осаждение из газовой фазы Термин химическое осаждение из газовой фазы Термин на английском chemical vapour deposition Синонимы химическое осаждение из пара…Метод химического осаждения из газовой фазы позволяет получать покрытия различной структуры (монокристаллические, эпитаксиальные, аморфные, поликристаллические) на поверхностях сложной...
Энциклопедический словарь нанотехнологий. - 2010

Эпитаксия

Эпитаксия Термин эпитаксия Термин на английском epitaxy Синонимы Аббревиатуры Связанные термины гетероструктура полупроводниковая, гетероэпитаксия, гомоэпитаксия, подложка, эпитаксия твердофазная, эпитаксия газофазная, эпитаксия жидкофазная…Рост эпитаксиальных пленок может происходить из газовой, жидкой или твердой фазы...
Энциклопедический словарь нанотехнологий. - 2010

ЭПИТАКСИЯ (от греч. epi — на и taxis — расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в-ва подложки и нарастающего кристалла различны…Для разных в-в и условий существует т. н. эпитаксиальная темп-ра, ниже к-рой нарастает только неориентированная плёнка. Процесс Э. обычно начинается с возникновения на подложке отд...
Физическая энциклопедия. - 1988

ЭПИТАКСИЯ (от греч. epi - на, над, при и taxis-расположение, порядок) - процесс наращивания монокристал-лич. слоев вещества на подложку (кристалл), при к-ром кристаллографич. ориентация наращиваемого слоя повторяет кристаллографич.ЖФЭ можно проводить при относительно невысоких темп-рах (400-500 °С). ЖФЭ позволяет получить многослойные эпитаксиальные структуры и плёнки определённой конфигурации (с помощью маски из...
Физическая энциклопедия. - 1988

Буква э встречается 1 раз. Слова с 1 буквой э
Буква п встречается 1 раз. Слова с 1 буквой п
Буква и встречается 2 раза. Слова с 2 буквами и
Буква т встречается 1 раз. Слова с 1 буквой т
Буква а встречается 2 раза. Слова с 2 буквами а
Буква к встречается 1 раз. Слова с 1 буквой к
Буква с встречается 1 раз. Слова с 1 буквой с
Буква л встречается 1 раз. Слова с 1 буквой л
Буква ь встречается 1 раз. Слова с 1 буквой ь
Буква н встречается 1 раз. Слова с 1 буквой н
Буква ы встречается 1 раз. Слова с 1 буквой ы
Буква й встречается 1 раз. Слова с 1 буквой й

Похожие запросы: