Значения слова Широкозонный. Что такое Широкозонный?

Слово состоит из 12 букв: первая ш, вторая и, третья р, четвёртая о, пятая к, шестая о, седьмая з, восьмая о, девятая н, десятая н, одиннадцатая ы, последняя й,

Слово широкозонный английскими буквами (транслитом) - shirokozonnyi

Бор

Бор — элемент главной подгруппы третьей группы, второго периода периодической системы химических элементов Д. И. Менделеева, с атомным номером 5. Обозначается символом B (лат. Borum).Обладает хрупкостью и полупроводниковыми свойствами (широкозонный полупроводник). В природе бор находится в виде двух изотопов 10В (20 %) и 11В (80 %).

ru.wikipedia.org

Зонная теория

Зонная теория твёрдого тела — квантовомеханическая теория движения электронов в твёрдом теле. В соответствии с квантовой механикой свободные электроны могут иметь любую энергию — их энергетический спектр непрерывен.К широкозонным полупроводникам относят алмаз (5—6 эВ), GaN (3,4 эВ), ZnS (3,56 эВ), ZnO (3,4 эВ).

ru.wikipedia.org

Карбид кремния

Карбору́нд — техническое название синтетического материала состава SiC, по составу и свойствам соответствующего минералу муассанит. Син: карбид кремния. В чистом виде представляет собой бесцветные кристаллы с алмазным блеском...Представляет собой широкозонный полупроводник (Eg=2,2÷3,2 эВ, в зависимости от модификации), использование которого перспективно в силовой и СВЧ-электронике в связи с высокими рабочими...

ru.wikipedia.org

Оптоэлектроника

Оптоэлектроника, направление электроники, охватывающее вопросы использования оптических и электрических методов обработки, хранения и передачи информации....под ред. Э. И. Адировича, Таш., 1972; Георгобиани А. Н., Широкозонные полупроводники AII BIV и перспективы их применения, "Успехи физических наук", 1974, т. 113, в. 1. С. В. Свечников.

Большая советская энциклопедия (БСЭ). — 1969—1978

Полупроводниковые материалы

Полупроводниковые материалы — вещества с чётко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале температур, включая комнатную (~ 300 К), являющиеся основой для создания полупроводниковых приборов.Последнее часто используют для получения полуизолирующих кристаллов широкозонных полупроводниковых материалов типа AIIIBV (GaAs, GaP, InP); легирующими примесями служат Cr, Fe, Ni.

ru.wikipedia.org

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, в-ва с четко выраженными св-вами полупроводников в широком интервале т-р, включая комнатную (~ 300 К), являющиеся основой для создания полупроводниковых приборов.Здесь также осн. материалом является Si, а дальнейшее продвижение в область более высоких рабочих т-р связано с применением GaAs, SiC и др. широкозонных полупроводниковых материалов.

Химическая энциклопедия

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ совокупность веществ с чётко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале темп-р, включающем комнатную темп-ру Т=300 К, применяющихся для изготовления полупроводниковых приборов.П. м. является Si, а дальнейшее продвижение в область более высоких рабочих темп-р связано с применением GaAs, SiC и др. широкозонных П. м. Расширяется применение П. м. в солнечной...

Физическая энциклопедия. - 1988

Светодиод

СВЕТОДИОД - полупроводниковый диод, излучающий свет припропускании тока через р - п-переход в прямом направлении. Физ. <основу работы="работы" с="С" составляют="составляют">процессы инжекции неосновных носителейзаряда в активную область р…Для снижения потерь света на поглощение внутри кристалла С. используют«широкозонное окно», к-рое позволяет вывести свет из активной области гетероструктурычерез широкозонный эмиттер без...

Физическая энциклопедия. - 1988

Электронно-дырочный переход

P - n-ПЕРЕХОД - (электронно-дырочный переход) - слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n -область) и дырочной (р -область) проводимостью.В широкозонных полупроводниках (с большойзапрещённой зоной)при относительно низких теми-pax может преобладать термич. генерация ирекомбинация в самом обеднённом слое, а не в слоях с...

Физическая энциклопедия. - 1988