Значения слова Пересыщение. Что такое Пересыщение?

Слово состоит из 11 букв: первая п, вторая е, третья р, четвёртая е, пятая с, шестая ы, седьмая щ, восьмая е, девятая н, десятая и, последняя е,

Слово пересыщение английскими буквами (транслитом) - peresyshchenie

Пересыщение

Пересыщение — избыточная концентрация содержащегося в растворе или паре вещества сверх растворимости, то есть сверх концентрации, соответствующей насыщенному раствору или насыщенному пару при данных условиях. Неустойчивое состояние раствора.

ru.wikipedia.org

Правильное написание и ударение в слове ПЕРЕСЫЩЕНИЕ

Пересыще́ние, -я.

Орфографический словарь. — 2004

Диффузионная камера

Диффузионная камера, прибор, в котором можно наблюдать видимые следы (треки) заряженных частиц. Как и в Вильсона камере, треки в Д. к. создаются каплями жидкости в пересыщенном паре, а центрами конденсации являются ионы…Пересыщение газа в Д. к. достигается за счёт непрерывного потока пара от более горячей поверхности у крышки камеры к холодной поверхности у её дна.

Большая советская энциклопедия (БСЭ). — 1969—1978

ДИФФУЗИОННАЯ КАМЕРА — прибор, в к-ром можно наблюдать треки заряж. ч-ц, как и в Вильсона камере. Треки в Д. к. создаются каплями жидкости в пересыщенных парах спирта…В отличие от камеры Вильсона, в Д. к. пересыщение существует постоянно (в нек-ром слое Д. к.), поэтому Д. к. чувствительна к ионизирующим ч-цам непрерывно.

Физическая энциклопедия. - 1988

ДИФФУЗИОННАЯ КАМЕРА - трековый детектор ядерных излучений, действие которого аналогично Вильсона камере с той разницей, что необходимое пересыщение паров спирта существует стационарно в части рабочего объема камеры за счет диффузии паров.

Большой энциклопедический словарь

Кристаллизация

КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ — образование кристаллов из паров, р-ров, расплавов, из в-ва в тв. состоянии (аморфном или другом кристаллическом), из электролитов в процессе электролиза (электрокристаллизация), а также при хим. реакциях.Поверхность растущей грани целиком состоит из них. Склоны холмиков отклонены от грани на углы порядка неск. градусов, причём тем меньше, чем меньше пересыщение (см. ВИЦИНАЛЬ).

Физическая энциклопедия. - 1988

Кристаллизация, образование кристаллов из паров, растворов, расплавов, вещества в твёрдом состоянии (аморфном или другом кристаллическом), в процессе электролиза и при химических реакциях.Пересыщение или переохлаждение среды — необходимое условие для роста погруженного в неё кристалла, причём скорость роста кристалла тем больше, чем больше отклонение от равновесия.

Большая советская энциклопедия (БСЭ). — 1969—1978

КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ - образование кристаллов из газа, раствора, расплава, стекла или кристалла др. структуры (полиморфные превращения). К. состоит в укладке атомов, молекул или ионов в кристаллическую решётку.Фронт К. из раствора всегда неустойчив, т. к. пересыщение увеличивается по мере удаления от растущей поверхности.

Физическая энциклопедия. - 1988

Монокристалл

Монокристалл, отдельный однородный кристалл, имеющий непрерывную кристаллическую решётку и характеризующийся анизотропией свойств (см. Кристаллы). Внешняя форма М. обусловлена его атомнокристаллической структурой и условиями кристаллизации.Низкотемпературный кристаллизатор представляет собой сосуд с раствором 1, в котором создаётся пересыщение, необходимое для роста кристаллов 2 путём медленного снижения температуры, реже...

Большая советская энциклопедия (БСЭ). — 1969—1978

МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫРАЩИВАНИЕ , проводят разл. методами, обеспечивающими получение индивидуальных кристаллов заданного размера, формы и дефектности. При М. в. заранее полученные мелкие кристаллы (затравку) помещают в пересыщ. среду…Пересыщение и т-ру среды поддерживают такими, чтобы затравка росла со скоростью 10 -7- 10 -1 мм/с без спонтанного образования центров кристаллизации с сохранением морфологич. устойчивости...

Химическая энциклопедия. - 1988

МОНОКРИСТАЛЛОВ ВЫРАЩИВАНИЕ, проводят разл. методами, обеспечивающими получение индивидуальных кристаллов заданного размера, формы и дефектности. При монокристаллов выращивании заранее полученные мелкие кристаллы (затравку) помещают в пересыщ.Пересыщение и т-ру среды поддерживают такими, чтобы затравка росла со скоростью 10-7- 10-1 мм/с без спонтанного образования центров кристаллизации с сохранением морфологич. устойчивости...

Химическая энциклопедия

Эпитаксия

ЭПИТАКСИЯ (от греч. epi — на и taxis — расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в-ва подложки и нарастающего кристалла различны…Помимо структурно-геом. соответствия, сопряжение данной пары в-в при Э. зависит от темп-ры процесса, степени пересыщения (переохлаждения) кристаллизующегося в-ва в среде, от совершенства...

Физическая энциклопедия. - 1988

ЭПИТАКСИЯ (от греч. epi - на, над, при и taxis-расположение, порядок) - процесс наращивания монокристал-лич. слоев вещества на подложку (кристалл), при к-ром кристаллографич. ориентация наращиваемого слоя повторяет кристаллографич.темп-pa, при к-рой ещё возможно ориентированное нарастание вещества), степени пересыщения осаждаемого вещества, совершенства подложки и чистоты её поверхности.

Физическая энциклопедия. - 1988

ЭПИТАКСИЯ (от эпи… и греч. taxis - расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на пов-сти другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в-ва подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию)…Помимо структурно-геом. соответствия, сопряжение данной пары в-в при Э. зависит от т-ры процесса, степени пересыщения (переохлаждения) кристаллизующегося в-ва в среде, от совершенства...

Химическая энциклопедия. - 1988