Значения слова Непрямозонный. Что такое Непрямозонный?

Слово состоит из 13 букв: первая н, вторая е, третья п, четвёртая р, пятая я, шестая м, седьмая о, восьмая з, девятая о, десятая н, одиннадцатая н, двенадцатая ы, последняя й,

Слово непрямозонный английскими буквами (транслитом) - nepryamozonnyi

Германий

Герма́ний — химический элемент главной подгруппы 14 группы 4 периода периодической системы химических элементов Д. И. Менделеева, с атомным номером 32. Обозначается символом Ge (нем. Germanium).Германий - непрямозонный полупроводник. Статическая диэлектрическая проницаемость ε = 16,0 Ширина запрещённой зоны (300 К) Eg = 0,67 эВ Собственная концентрация ni=2,33·1013 см−3...

ru.wikipedia.org

Полупроводниковые материалы

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ совокупность веществ с чётко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале темп-р, включающем комнатную темп-ру Т=300 К, применяющихся для изготовления полупроводниковых приборов.К и см 3·с -1. Si. Непрямозонный.

Физическая энциклопедия. - 1988

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ, в-ва с четко выраженными св-вами полупроводников в широком интервале т-р, включая комнатную (~ 300 К), являющиеся основой для создания полупроводниковых приборов.Важнейшие представители этой группы: GaAs, InP, InAs, InSb, являющиеся прямозонными полупроводниками, и GaP - непрямозонный полупроводник.

Химическая энциклопедия

Полупроводниковые материалы — вещества с чётко выраженными свойствами полупроводников в широком интервале температур, включая комнатную (~ 300 К), являющиеся основой для создания полупроводниковых приборов.Являются непрямозонными полупроводниками; образуют между собой непрерывный ряд твёрдых расплавов, также обладающих полупроводниковыми свойствами.

ru.wikipedia.org

Полупроводниковый лазер

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами, а не дискр. уровнями энергии (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ).На непрямозонных полупроводниках (Ge, Si) пока не удаётся создать П. л. Разнообразие полупроводниковых лазерных материалов позволяет перекрыть широкий спектральный диапазон с помощью П. л...

Физическая энциклопедия. - 1988

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР — лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами, а не дискр. уровнями энергии (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ).На непрямозонных полупроводниках (Ge, Si) пока не удаётся создать П. л. Разнообразие полупроводниковых лазерных материалов позволяет перекрыть широкий спектральный диапазон с помощью П. л...

Физическая энциклопедия. - 1988

Светодиод

СВЕТОДИОД - полупроводниковый диод, излучающий свет припропускании тока через р - п-переход в прямом направлении. Физ. <основу работы="работы" с="С" составляют="составляют">процессы инжекции неосновных носителейзаряда в активную область р…В связи с низким коэф. поглощения внеш. квантовый вход излучениядля приборов с полусферич. кристаллом достигает В непрямозонных полупроводниках (GaP, GaAs 1-xP x при < <х>0,4 и др.) эфф...

Физическая энциклопедия. - 1988

Экситон

ЭКСИТОН (от лат. excito — возбуждаю), квазичастица, соответствующая электронному возбуждению в кристалле диэлектрика или ПП, мигрирующему по кристаллу, но не связанному с переносом электрич. заряда и массы.В непрямозонных полупроводниках (Ge, Si) возможно связывание на одном примесном центре до 4 Э. Причиной устойчивости многочастичных экситонно-примесных комплексов в непрямозонных...

Физическая энциклопедия. - 1988