Значения слова Инжекционный. Что такое Инжекционный?

Слово состоит из 12 букв: первая и, вторая н, третья ж, четвёртая е, пятая к, шестая ц, седьмая и, восьмая о, девятая н, десятая н, одиннадцатая ы, последняя й,

Слово инжекционный английскими буквами (транслитом) - inzhektsionnyi

Инжекционный лазер

ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР - наиб, распространённая разновидность полупроводникового лазера, отличающаяся использованием инжекции носителей заряда через нелинейный электрич. контакт…
Физическая энциклопедия. - 1988

Инжекционный лазер, полупроводниковый лазер, в котором используется инжекция (впрыскивание) электронов и дырок в область электронно-дырочного перехода.
Большая советская энциклопедия (БСЭ). — 1969—1978

ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР — полупроводниковый лазер, в к-ром для создания инверсии населённости используется инжекция избыточных эл-нов и дырок в прямом (пропускном) направлении через нелинейный ПП контакт, обычно через р — n-переход или гетеропереход.
Физическая энциклопедия. - 1988

Правильное написание и ударение в слове ИНЖЕКЦИОННЫЙ

Инжекцио́нный.
Словарь ударений. — 2000

Интегральная схема

ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА - твердотельное устройство, содержащее группу приборов и их соединения (связи), выполненное на единой пластине (подложке). В И. с. интегрируются пассивные элементы (ёмкости, сопротивления) и активные элементы…...транзисторов (интегральная инжекционная логика); приборы с зарядовой связью (ПЗС), где осуществляется передача эл.-статич. заряда в цепях из тысяч МДП-элементов (см. МДП-структура...
Физическая энциклопедия. - 1988

Интегра́льная (микро)схе́ма (ИС, ИМС, м/сх, англ. integrated circuit, IC, microcircuit), чип, микрочи́п (англ. microchip, silicon chip, chip — тонкая пластинка — первоначально термин относился к пластинке кристалла микросхемы)...чтобы они не входили в режим насыщения, — что существенно повышает быстродействие; ИИЛ — интегрально-инжекционная логика. КМОП и ТТЛ (ТТЛШ) технологии являются наиболее распространёнными...
ru.wikipedia.org

Интегрально-инжекционная логика

Интегрально-инжекционная логика (ИИЛ, И2Л, И3Л, I2L) — технология построения логических элементов на биполярных транзисторах.
ru.wikipedia.org

Лазер

ЛАЗЕР (LASER, аббревиатура слов англ, фразы Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation - усиление света в результате вынужденного излучения), устройство, преобразующее разл. виды энергии…Рис. 7. Инжекционный полупроводниковый лазер. Область потенциального барьера (p-n-перехода) заштрихована. (+) и (-) - контакты для приложения напряжения.
Химическая энциклопедия

ЛАЗЕР (LASER, аббревиатура слов англ, фразы Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation - усиление света в результате вынужденного излучения), устройство, преобразующее разл. виды энергии…Зеркалами оптич. резонатора в таком Л. служат хорошо отполированные плоскопараллельные грани самого кристалла. наиб. совершенные инжекционные Л. представляют собой более сложную структуру...
Химическая энциклопедия. - 1988

Лазер, источник электромагнитного излучения видимого, инфракрасного и ультрафиолетового диапазонов, основанный на вынужденном излучении атомов и молекул.Полупроводниковые инжекционные лазеры характеризуются очень высоким кпд преобразования электрической энергии в когерентное излучение (близким к 100%) и могут работать в непрерывном режиме.
Большая советская энциклопедия (БСЭ). — 1969—1978

Полупроводниковый лазер

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР — лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами, а не дискр. уровнями энергии (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ).Плотность порогового тока в инжекционных П. л. обычно =1 к А/см2 (табл. 1). Рис. 3. Вверху инжекционный лазер на р —n-переходе; внизу — образцы инжекционных полупроводниковых лазеров.
Физическая энциклопедия. - 1988

Полупроводниковый лазер, полупроводниковый квантовый генератор, лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества. В П. л., в отличие от лазеров др. типов…Инжекционные лазеры на гетеропереходе (появились в 1968) представляют собой, например, двусторонние гетероструктуры (рис. 4). Активный слой (GaAs) заключён между двумя полупроводниковыми...
Большая советская энциклопедия (БСЭ). — 1969—1978

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами, а не дискр. уровнями энергии (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ).Рис. 3. Полосковый инжекционный лазер: а - общий вид в сборке; б - схема; в - сечение вблизи активной области (АО).. Неравенство (5) является условием инверсии для межзонных переходов.
Физическая энциклопедия. - 1988

ПРОТОЧНО-ИНЖЕКЦИОННЫЙ АНАЛИЗ

ПРОТОЧНО-ИНЖЕКЦИОННЫЙ АНАЛИЗ (ПИА), авто-матизир. метод анализа и исследования в потоке. При этом точный микрообъем (пробу) изучаемой жидкости вводят в непрерывно движущийся по направлению к детектору поток инертного носителя (или р-ра реагента).
Химическая энциклопедия

ПРОТОЧНО-ИНЖЕКЦИОННЫЙ АНАЛИЗ (ПИА), авто-матизир. метод анализа и исследования в потоке. При этом точный микрообъем (пробу) изучаемой жидкости вводят в непрерывно движущийся по направлению к детектору поток инертного носителя (или р-ра реагента).
Химическая энциклопедия. - 1988

Буква и встречается 2 раза. Слова с 2 буквами и
Буква н встречается 3 раза. Слова с 3 буквами н
Буква ж встречается 1 раз. Слова с 1 буквой ж
Буква е встречается 1 раз. Слова с 1 буквой е
Буква к встречается 1 раз. Слова с 1 буквой к
Буква ц встречается 1 раз. Слова с 1 буквой ц
Буква о встречается 1 раз. Слова с 1 буквой о
Буква ы встречается 1 раз. Слова с 1 буквой ы
Буква й встречается 1 раз. Слова с 1 буквой й

Похожие запросы: