Значения слова Гетеропереход. Что такое Гетеропереход?

Слово состоит из 13 букв: первая г, вторая е, третья т, четвёртая е, пятая р, шестая о, седьмая п, восьмая е, девятая р, десятая е, одиннадцатая х, двенадцатая о, последняя д,

Слово гетеропереход английскими буквами (транслитом) - geteroperekhod

Гетеропереход

Гетеропереход — контакт двух различных полупроводников. Гетеропереходы обычно используются для создания потенциальных ям для электронов и дырок в многослойных полупроводниковых структурах (гетероструктурах).
ru.wikipedia.org

ГЕТЕРОПЕРЕХОД контакт двух различных по хим. составу полупроводников. На границе раздела ПП обычно изменяются ширина запрещённой зоны, подвижность носителей яаряда, их эффективные массы и др. хар-ки.
Физическая энциклопедия. - 1988

ГЕТЕРОПЕРЕХОД — контакт двух различных по хим. составу полупроводников. На границе раздела ПП обычно изменяются ширина запрещённой зоны, подвижность носителей яаряда, их эффективные массы и др. хар-ки.
Физическая энциклопедия. - 1988

Правильное написание и ударение в слове ГЕТЕРОПЕРЕХОД

Гетероперехо́д, -а.
Орфографический словарь. — 2004

Инжекционный лазер

ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР - наиб, распространённая разновидность полупроводникового лазера, отличающаяся использованием инжекции носителей заряда через нелинейный электрич. контакт…...с волоконно-оптическим выводом. гетеропереход)в качестве механизма накачки. В И. л. электрич. энергия...
Физическая энциклопедия. - 1988

ИНЖЕКЦИОННЫЙ ЛАЗЕР — полупроводниковый лазер, в к-ром для создания инверсии населённости используется инжекция избыточных эл-нов и дырок в прямом (пропускном) направлении через нелинейный ПП контакт, обычно через р — n-переход или гетеропереход.
Физическая энциклопедия. - 1988

ИНЖЕКЦИОННЫЙ лазер - полупроводниковый лазер, в котором инверсия населенностей создается в результате инжекции электронов и дырок в область p-n-перехода или гетероперехода под действием электрического поля.
Большой энциклопедический словарь

Лазер

ЛАЗЕР (LASER, аббревиатура слов англ, фразы Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation - усиление света в результате вынужденного излучения), устройство, преобразующее разл. виды энергии…3. Полу проводниковые лазеры. Накачка инжекцией носителей тока через р-n-переход или гетеропереход, а также облучением пов-сти полупроводника электронным пучком.
Химическая энциклопедия

ЛАЗЕР (LASER, аббревиатура слов англ, фразы Light Amplification by Stimulated Emission of Radiation - усиление света в результате вынужденного излучения), устройство, преобразующее разл. виды энергии…3. Полу проводниковые Л. Накачка инжекцией носителей тока через р-n-переход или гетеропереход, а также облучением пов-сти полупроводника электронным пучком.
Химическая энциклопедия. - 1988

ЛАЗЕР (оптический квантовый генератор, аббревиатура слов англ. фразы: Light Ampflication by Stimulated Emission of Radiation, что означает "усиление света вынужденным излучением") - устройство, преобразующее разл. виды энергии…3) Полупроводниковые лазеры: нaкачка инжекцией через гетеропереход (см. Гетеролаар), а также электронным пучком. Гетеролазеры миниатюрны, имеют большой кпд, могут работать в импульсном и...
Физическая энциклопедия. - 1988

Полупроводниковые приборы

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ общее название разнообразных приборов, действие к-рых основано на свойствах полупроводников, однородных (табл. 1) и неоднородных, содержащих p — n-переходы (см. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД) и гетеропереходы (табл. 2, 3).
Физическая энциклопедия. - 1988

Полупроводниковый гетеропереход

Полупроводниковый гетеропереход, контакт двух различных по химическому составу полупроводников. На границе раздела изменяется обычно ширина запрещенной зоны DE, подвижность носителей тока, их эффективные массы и др. характеристики полупроводников.
Большая советская энциклопедия (БСЭ). — 1969—1978

Полупроводниковый лазер

Полупроводниковый лазер, полупроводниковый квантовый генератор, лазер с полупроводниковым кристаллом в качестве рабочего вещества. В П. л., в отличие от лазеров др. типов…Для П. л. на гетеропереходе необходимая плотность тока при Т = 300 К более чем в 10 раз ниже, чем у П. л. на р—n-переходе, что позволяет осуществить непрерывный режим генерации при...
Большая советская энциклопедия (БСЭ). — 1969—1978

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами, а не дискр. уровнями энергии (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ).В т. н. заращённых или заглублённых полосковых гетероструктурах активный волновод представляет собой полоску, ограниченную гетеропереходами со всех боковых сторон...
Физическая энциклопедия. - 1988

ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР — лазер на основе полупроводникового кристалла. В отличие от лазеров др. типов, в П. л. используются излучательные квант. переходы между разрешёнными энергетич. зонами, а не дискр. уровнями энергии (см. ПОЛУПРОВОДНИКИ).Важнейшим способом накачки в П. л. явл. инжекция через p — n-переход или гетеропереход (см. ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД), позволяющая осуществить непосредств. преобразование электрич...
Физическая энциклопедия. - 1988

Электронно-дырочный переход

P - n-ПЕРЕХОД - (электронно-дырочный переход) - слой с пониженной электропроводностью, образующийся на границе полупроводниковых областей с электронной (n -область) и дырочной (р -область) проводимостью....пространстве легирования донорной и акцепторной примесями одного и того же полупроводника (напр., Si), и гетеропереход, в к-ром р-область и n- область принадлежат разл. полупроводникам.
Физическая энциклопедия. - 1988

ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД (р — n-переход), область полупроводника, в к-рой имеет место пространств. изменение типа проводимости от электронной n к дырочной p.ПП разными типами проводимости (см. ГЕТЕРОПЕРЕХОД). Если Э.-д. п. получают вплавлением примесей в монокрист. полупроводник (напр., акцепторной примеси в кристалл с проводимостью n-типа...
Физическая энциклопедия. - 1988

Электронно-дырочный переход (p — n-переход), область полупроводника, в которой имеет место пространственное изменение типа проводимости (от электронной n к дырочной p)....см. Полупроводниковый гетеропереход); 3) вблизи контакта полупроводника с металлом, если ширина запрещенной зоны полупроводника меньше разности работ выхода полупроводника и металла; 4)
Большая советская энциклопедия (БСЭ). — 1969—1978

Эпитаксия

Эпитаксия (от эпи… и греч. táxis — расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда вещества подложки и нарастающего кристалла различны, и гомоэпитаксию (автоэпитаксию)…...см. Полупроводниковый гетеропереход), инжекционные лазеры, в устройствах интегральной оптики в вычислительной технике (магнитные элементы памяти с цилиндрическими доменами) и т. п. Лит...
Большая советская энциклопедия (БСЭ). — 1969—1978

ЭПИТАКСИЯ (от греч. epi — на и taxis — расположение, порядок), ориентированный рост одного кристалла на поверхности другого (подложки). Различают гетероэпитаксию, когда в-ва подложки и нарастающего кристалла различны…...см. ГЕТЕРОПЕРЕХОД)), в устройствах интегр. оптики, в вычислит. технике (элементы памяти с цилиндрическими магнитными доменами) и т. п. Физический энциклопедический словарь.
Физическая энциклопедия. - 1988

Буква г встречается 1 раз. Слова с 1 буквой г
Буква е встречается 4 раза. Слова с 4 буквами е
Буква т встречается 1 раз. Слова с 1 буквой т
Буква р встречается 2 раза. Слова с 2 буквами р
Буква о встречается 2 раза. Слова с 2 буквами о
Буква п встречается 1 раз. Слова с 1 буквой п
Буква х встречается 1 раз. Слова с 1 буквой х
Буква д встречается 1 раз. Слова с 1 буквой д

Похожие запросы: